還記得今年四月，韓媒《IT Chosun》報導三星因為1d DRAM良率未達內部目標,已無限期延後量產計畫嗎?當時PTT鄉民還在討論「韓國人有技術?」、「又是紙上談兵」。結果才過兩個月,劇情就來了個180度大轉彎。
根據韓媒與業界人士最新消息,三星不但沒有放棄,反而計畫在2027年中導入1d DRAM專用設備,若研發與設備調校順利,最快於2027年底啟動量產。這個時間點可不是隨便選的——2027年正是美光HBM4E預期進入放量階段、SK海力士HBM5蓄勢待發的關鍵年。換句話說,三星正在賭一場不能輸的翻身仗。
什麼是1d DRAM?為何半導體業都在盯著看
要理解這場戰爭的規模,得先搞懂1d DRAM到底有多硬核。
傳統DRAM的電容和電晶體是「並排」在同一平面(水平結構),但當製程逼近10奈米級時,漏電、干擾問題會大幅惡化。業界有分析認為,為了在10nm級繼續縮小單元,1d DRAM可能會採用更先進的垂直堆疊與晶圓接合技術(例如將記憶體陣列與控制電路分開製造再接合),但三星尚未在公開場合正式確認具體結構細節。
| 比較項目 | 1c DRAM(現役) | 1d DRAM(次世代) |
|---|---|---|
| 製程節點 | 10nm級(現役節點) | 更先進的10nm級(下一代節點) |
| 結構特點 | 水平排列為主 | 預期採用更先進的垂直堆疊技術 |
| 主要預期應用 | DDR5、HBM3/HBM3E,也可能支援HBM4/HBM4E | 主要鎖定HBM5/HBM5E等高階AI應用 |
註:實際上,DRAM節點與HBM世代並非一對一綁定,而是依各家產品規劃彈性搭配。
業界有分析進一步指出,三星未來在HBM5世代,可能會結合更先進的邏輯節點(如2nm等級的Base Die)與銅基熱管理架構,以突破AI晶片的「記憶體牆」瓶頸,但相關細節尚未獲得三星正式證實。業界分析師直言:
「1d製程將成下一世代技術分水嶺,三星能否如期量產,將直接影響HBM5市場的競爭地位。」
良率才是真正的戰場
技術藍圖畫得再漂亮,良率才是王道。這也是鄉民最質疑的點。
Dcard與PTT上充斥著這樣的留言:「用2nm性能是更好,但量出不來有屁用」、「良率未達標,訂單做不完」。畢竟,在HBM3世代,SK海力士憑藉MR-MUF封裝技術壟斷了Nvidia多數訂單,三星這位傳統記憶體霸主罕見落後。
業界知情人士也坦言:
「晶片電路線寬微縮至10奈米區間後,良率哪怕僅相差1個百分點,都可能對千億韓元級別的盈利水平產生顯著影響。」
這也解釋了為何三星這次選擇「激進押注」——與其在HBM4/HBM5世代繼續被對手壓著打,不如透過記憶體+晶圓代工+先進封裝的全棧式AI解決方案,來一場翻身。問題是:這套策略能不能撐到量產?會不會中途又出現良率卡關?
2027:記憶體三巨頭的關鍵之年
目前檯面上的玩家只有三家:三星、SK海力士、美光。市場預期,美光規劃在2027年前後讓HBM4E進入放量階段;美光高層過去也多次提到將在下一世代HBM加快時程,但具體時間點仍可能依市場與技術進展調整。SK海力士更不用說,它在HBM3的成功讓它信心滿滿。
而三星呢?它正在用「先進製程」作為武器,試圖在規格上壓倒對手。但前提是——良率必須達標。
如果三星成功了,它將洗刷HBM3世代的遺憾;如果失敗了,這場仗恐怕會從「激進押注」變成「過度樂觀」的範例。這場戲,真的不能錯過。
主要參考來源:韓國《IT Chosun》、科技島、TechNews、Wccftech 等產業媒體報導
